最长弦与最短弦问题

考查经过圆内一点的最长弦与最短弦,尤其最短弦具有的性质是高中数学中的一类重要问题,在近年来的高考及各类数学考试中该类问题频繁出现．试总结如下：     

反应显微成像谱仪动量及能量分辨因素分析

在对反应显微成像谱仪的工作原理作简要介绍的基础上,全面分析了各种可能影响动量分辨的因素,并结合反应显微成像谱仪的技术参数分别对反冲离子动量分辨以及电子动量与能量分辨进行了详细计算和讨论,确定了反应显微成像谱仪的动量及能量分辨,并为进一步提高分辨提供了重要依据. 关键词： 动量分辨 能量分辨 反应显微成像谱仪 动量成像原理     

名义组分为Y_6Ba_(11)Cu_(16)O_x的纳米超导材料

采用柠檬酸盐热分解法制备了名义组分为Y6Ba11Cu16Ox的纳米超导材料。利用XRD对其粉体进行物相表征,发现其相是Y123和Y211的混合相,并测得两者之间的摩尔比为1∶0.14,同时把其XRD图谱与Y1Ba2Cu3O7-x的XRD图谱进行了对照分析。利用标准的四端引线法对其块体进行R-T分析,测出其起始转变温度Tonset=86.0K,转变宽度△Tc=6.7K,并表现出良好的超导电性,也相应地把其与Y1Ba2Cu3O7-x进行了对比。根据Scherrer公式计算得到样品的平均晶粒尺寸约为67.1nm。文中也分析了所制材料为混合物的原因。     

数字全息显微系统结构参量对再现像质的影响

为了获取高质量的数字全息显微再现像,分析了同轴相移数字全息显微系统结构参量对再现像质的影响.首先经过计算得出理想成像时,像空间物光波频率完全由物体面形结构频率和系统放大倍率决定.然后基于显微成像时物光波的所有频率分量都应该被有效记录的分析,得出在同轴相移系统中放大倍率必须使物光波的空间频率缩小到满足采样要求;并得出在相...     

白光LED用蓝绿色荧光粉Sr1-xBax Al2O4:Eu2+的发光性质

采用高温固相法在还原气氛中合成Sr1-xBaxAl2 O4:Eu2+荧光材料.XRD显示,当钡掺杂量x＜0.4时,对应样品主要为单斜SrAl2 O4晶体结构;当x≥0.4时,对应样品主要为简单六方BaAl2 O4晶体结构.在360nn激发下,样品的发射光谱随x的增加由单一的绿光发射(λmax=516nm)逐渐转变为蓝绿...     

多层栅介质层有机薄膜晶体管的存储与光响应特性

在真空室内一次性制备了具有多层栅介质层结构的有机薄膜晶体管(OTFTs).结果表明,制备的OTFTs具有电控开关、存储和光敏多重功能特性.分析认为,存储特性归功于器件的结构,采用了分离的CaF2纳米粒子岛作为电荷俘获中心.在光照环境下,观察到了两种不同类型的光响应特性.快速的光响应来自于有源层吸收了能量大于带隙的光子所...     

α-苯甲胺基-β-(3-吲哚基)-丙酸甲酯的合成

以L-色氨酸为原料经过4步得到α-苯甲胺基-β-(3-吲哚基)-丙酸甲酯,它是一种具有潜在的抗肿瘤活性的吲哚二酮哌嗪化合物的中间体,首先通过“酰氯法”合成L-色氨酸甲酯盐酸盐,再脱去盐酸,与苯甲醛发生缩合反应形成希夫碱,最后选择性还原,得目的产物,得率54.9%.     

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si_1-xGe_x的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ₂能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方 关键词： 电子谷间占有率 散射模型 锗组分 电子迁移率     

Determination of the time resolution for neutron scintillation detectors by multi-coincidence measurement

Based on the multi-coincidence measurement, the time resolution of three liquid scintillation detectors (BC501A) were determined strictly by solving the coincidence equations, where the influence from electronics estimated by self coincidence measurement as well as the background had been considered. The result of this work agreed well with the result that was deduced from the traditional method, and it will be helpful to analyze the energy resolution of neutron time of flight spectra measured by using such detectors at CIAE (China Institute of Atomic Energy).     

单轴〈111〉应力硅价带结构计算

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考. 关键词： 单轴应力硅 k·p法')" href="#">k·p法 价带结构